圖紙介紹 : 本設備機構由SW2016設計包含零件特征可編輯,采用薄型SO6L封裝的光耦—“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅動(dòng)IC。利用裝架機定位,提高良品率和生產(chǎn)效率。厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性組裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。合理設計組裝動(dòng)作節拍,提高精度和效率,增加保證良品率的工藝。緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等直接通過(guò)該光耦驅動(dòng)其IGBT/MOSFET,TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容SDIP6封裝的焊盤(pán),能夠為電路板組件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,元器件上料方式由兩組氣缸上下同時(shí)對變形的引腳進(jìn)行整腳整平,上氣缸和整腳壓塊負責整平,速度可達2000,適用范圍廣,用于器件高度受限的新型電路設計。最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設計和保持溫度裕度。SO6L(LF4)封裝的引線(xiàn)成型選項。高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)IOP=±2.5A(TLP5702H)IOP=±5.0A(TLP5705H)薄型SO6L封裝高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃主要規格℃,@Ta=-40℃至125。包含STP與UG通用可編輯格式。
行業(yè)用途 : 機械設備 醫療器械 數碼電子 模具工裝
設計軟件 : SolidWorks
版本/編輯 : SolidWorks2016 【可編輯、不含參數】
文件格式 : step(stp) Sldprt Sldasm SLDDRW x_t
下載權限 : 鉆石會(huì )員.等級及以上
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